Презентация Электроника. Полупроводниковые диоды онлайн

Содержание слайда:

Содержание слайда: Преподаватель: Саломатин Александр Федорович

Содержание слайда: Структура курса: 9 лекций; 8 Лабораторных работ; Расчётно-графическая работа Форма отчетности – экзамен.

Содержание слайда: Лабораторные работы: Лабораторные работы проводятся в лаборатории II – 105 по половине группы. Первые три занятия проходят в виде практических занятий. Тема этих трёх практических занятий – «Проектирование источника питания для радиоэлектронной аппаратуры». На четвёртом занятии схема спроектирован-ного источника питания моделируется на компьютере в программе Electronics Workbench.

Содержание слайда: Далее проводятся последние четыре так называемые «железные» лабораторные работы (или лабораторные работы на «железе»). Далее проводятся последние четыре так называемые «железные» лабораторные работы (или лабораторные работы на «железе»). Темы последних лабораторных работ будут сообщены позднее. ЛИТЕРАТУРА :

Содержание слайда:

Содержание слайда:

Содержание слайда:

Содержание слайда:

Содержание слайда:

Содержание слайда: Полупроводниковые диоды

Содержание слайда: Полупроводниковые диоды Полупроводниковый диод – это прибор с двухслойной P-N структурой и одним P-N переходом. Слой Р - акцепторная примесь ( основные носители - дырки ). Слой N - донорная примесь (основные носители - электроны).

Содержание слайда: При приложении внешнего напряжения к диоду в прямом направлении («+» на анод, а « - » на катод) уменьшается потенциальный барьер, увеличивается диффузия – диод открыт (закоротка). При приложении внешнего напряжения к диоду в прямом направлении («+» на анод, а « - » на катод) уменьшается потенциальный барьер, увеличивается диффузия – диод открыт (закоротка). При приложении напряжения в обратном направлении увеличивается потенциальный барьер, прекращается диффузия – диод закрыт (разрыв).

Содержание слайда: Вольт-амперная характеристика (ВАХ) полупроводникового диода Uэл.проб.=10÷ около 6000 В – напряжение электрического пробоя. Зависит от марки диода. Uнас. = 0,3 ÷ 1 В – напряжение насыщения. Ia и Ua – анодный ток и напряжение

Содержание слайда: Участок I:– рабочий участок (прямая ветвь ВАХ) Участки II, III, IV, - обратная ветвь ВАХ (не рабочий участок) Участок II: Если приложить к диоду обратное напряжение – диод закрыт, но все равно через него будет протекать малый обратный ток (ток дрейфа, тепловой ток), обусловленный движением неосновных носителей.

Содержание слайда: Участок III: Участок электрического пробоя. Если приложить достаточно большое напряжение, неосновные носители будут разгоняться и при соударении с узлами кристаллической решетки происходит ударная ионизация, которая в свою очередь приводит к лавинному пробою (вследствие чего резко возрастает ток) Участок III: Участок электрического пробоя. Если приложить достаточно большое напряжение, неосновные носители будут разгоняться и при соударении с узлами кристаллической решетки происходит ударная ионизация, которая в свою очередь приводит к лавинному пробою (вследствие чего резко возрастает ток) Электрический пробой, теоретически, является обратимым, после снятия напряжения P-N-переход восстанавливается.

Содержание слайда: Участок IV: Участок теплового пробоя. Возрастает ток, следовательно, увеличивается мощность, что приводит к нагреву диода и он сгорает. Участок IV: Участок теплового пробоя. Возрастает ток, следовательно, увеличивается мощность, что приводит к нагреву диода и он сгорает. Тепловой пробой - необратим. Вслед за электрическим пробоем, очень быстро следует тепловой, поэтому на практике для диодов запрещается работа при электрическом пробое.

Содержание слайда: Тепловой пробой может наступить и на рабочей ветви ВАХ (участок I). Тепловой пробой может наступить и на рабочей ветви ВАХ (участок I).

Содержание слайда: Вольт-амперная характеристика идеального диода (вентиля)

Содержание слайда: Основные параметры полупроводниковых диодов 1. Максимально допустимый средний за период прямой ток (IПР. СР.) – это такой ток, который диод способен пропустить в прямом направлении не перегреваясь. Величина допустимого среднего за период прямого тока равна 70% от тока теплового пробоя. По прямому току диоды делятся на три группы: 1) Диоды малой мощности (IПР.СР < 0,3 А) 2) Диоды средней мощности (0,3 <I ПР.СР <1 0 А) 3) Диоды большой мощности (IПР.СР > 10 А) В настоящее время существуют диоды с I ПР.СР = 3800 А Диоды малой мощности не требуют дополнительного теплоотвода (тепло отводится с помощью корпуса диода)

Содержание слайда: Для диодов средней и большой мощности, которые не могут эффективно отводить тепло своими корпусами, требуется дополнительный теплоотвод (радиатор – кубик металла, в котором с помощью литья или фрезерования выполняются шипы, в результате чего возрастает поверхность теплоотвода. Материал - медь, бронза, алюминий, силумин)

Содержание слайда:

Содержание слайда:

Содержание слайда: 2. Постоянное прямое напряжение (UПР.) Постоянное прямое напряжение – это падение напряжения между анодом и катодом при протекании максимально допустимого прямого постоянного тока. Проявляется особенно при малом напряжении питания. Постоянное прямое напряжение зависит от материала диодов (германий - Ge, кремний - Si) Синоним этого параметра – напряжение насыщения.

Содержание слайда: Uпр. Ge ≈ 0.3÷0.5 В (Германиевые) Uпр. Si ≈ 0.5÷1 В (Кремниевые) Германиевые диоды обозначают – ГД (1Д) Кремниевые диоды обозначают – КД (2Д) 3. Повторяющееся импульсное обратное максимальное напряжение (Uобр. max) Электрический пробой идет по амплитудному значению (импульсу) Uобр. max ≈ 0.7UЭл. пробоя (10 ÷ 4500 В) Для мощных диодов Uобр. max= 1200 В. Этот параметр иногда называют классом диода (Для 12 класса диода Uобр. max= 1200 В)

Содержание слайда: 4. Максимальный обратный ток диода (I max ..обр.) 4. Максимальный обратный ток диода (I max ..обр.) Соответствует максимальному обратному напряжению (порядок величины – микроамперы или миллиамперы в зависимости от мощности диода). Для кремниевых диодов максимальный обратный ток в два раза меньше, чем для германиевых 5. Дифференциальное (динамическое) сопротивление.

Содержание слайда: Стабилитроны

Содержание слайда: Стабилитрон – это разновидность диода. Применяется для ограничения электрических сигналов по току и напряжению. Стабилитрон – это разновидность диода. Применяется для ограничения электрических сигналов по току и напряжению. Используются в стабилизаторах напряжения.

Содержание слайда: Вольт-амперная характеристика стабилитрона Рабочим участком является участок электрического пробоя. U стаб. – напряжение стабилизации I стаб.min – минимальный ток стабилизации I стаб.max – максимальный ток стабилизации

Содержание слайда: В справочнике дается среднее значение Uстаб. Есть разброс порядка 10 %. В справочнике дается среднее значение Uстаб. Есть разброс порядка 10 %. Для достижения требуемого значения стабилитроны могут включаться последовательно.

Содержание слайда: Рабочий ток стабилитрона лежит в пределах от минимального до максимального тока стабилизации. Рабочий ток стабилитрона лежит в пределах от минимального до максимального тока стабилизации. Степень наклона рабочего участка, характеризуется динамическим сопротивлением Для идеального стабилитрона RД=0. U стаб. =3 ÷ 200 В

Содержание слайда: Ещё один паспортный параметр – ТКН (температурный коэффициент напряжения). Показывает на сколько вольт (или на сколько процентов) изменяется Uстаб при изменении темпе-ратуры на один градус Цельсия. Ещё один паспортный параметр – ТКН (температурный коэффициент напряжения). Показывает на сколько вольт (или на сколько процентов) изменяется Uстаб при изменении темпе-ратуры на один градус Цельсия.

Содержание слайда: Выпускаются ещё и двуханодные стабилитроны. Выпускаются ещё и двуханодные стабилитроны. Это фактически два стабилитрона, включенные последовательно встречно.

Содержание слайда: Тиристоры

Содержание слайда: Тиристор – полупроводниковый прибор с несколькими чередующимися слоями n и p проводимости, четырехслойной структуры p-n-p-n. Тиристор – полупроводниковый прибор с несколькими чередующимися слоями n и p проводимости, четырехслойной структуры p-n-p-n. Тиристоры предназначены для ключевого управления электрическими сигналами в режиме открыт-закрыт (управляемый диод). Название тиристора - от греческого слова thyra (тира), что означает "дверь" или "вход".

Содержание слайда: Вольтамперная характеристика тиристора.

Содержание слайда: Выше приведено схемное обозначение управляемого тиристора (триодный тиристор, тринистор). На практике при употреблении термина "тиристор" подразумевается именно этот элемент. Выше приведено схемное обозначение управляемого тиристора (триодный тиристор, тринистор). На практике при употреблении термина "тиристор" подразумевается именно этот элемент.

Содержание слайда: При положительной полярности: - участок ОА – через тиристор протекает незначительный ток, можно считать, что тиристор закрыт. При положительной полярности: - участок ОА – через тиристор протекает незначительный ток, можно считать, что тиристор закрыт. U вкл - называется напряжением включения. Как только напряжение достигает значения, U вкл оно лавинообразно снижается – участок АВ. Способ управления повышением напряжения до U вкл не рекомендуется (тиристор открывается только один раз) Чем больший ток подан на управляющий электрод, тем «колено ОАВ» меньше. Если , (I у4 = I упр отп - управляющий ток отпирания), то ВАХ тиристора совпадет с ВАХ диода. Когда тиристор вышел на рабочий участок ВС, можно отключить ток управления. При этом тиристор останется в открытом состоянии.

Содержание слайда:

Содержание слайда: Существуют тиристоры двух видов: Существуют тиристоры двух видов: 1. Незапираемые – это тиристоры, управляемые при подачи напряжения и тока на управляющий электрод. 2. Запираемые – их исходное состояние – открыт. Чтобы закрыть запираемый тиристор, необходимо подать ток обратной полярности относительно большой величины.

Содержание слайда:

Содержание слайда: Изменяя угол α (угол управления), можно регулировать среднее напряжение на нагрузке, чем больше α , тем меньше среднее напряжение на нагрузке. Изменяя угол α (угол управления), можно регулировать среднее напряжение на нагрузке, чем больше α , тем меньше среднее напряжение на нагрузке. Симметричные тиристоры или симисторы – это два тиристора включенных встречно - параллельно. Справа дано обозначение неуправляемого тиристора (динистора). Он открывается при приложении между анодом и катодом напряжения больше U вкл

Содержание слайда: Параметры тиристоров 1. Напряжение включения (U вкл ) – это такое напряжение, при котором тиристор переходит в открытое состояние. 2. Повторяющееся импульсное обратное напряжение (Uобр.max) – это напряжение, при котором наступает электрический пробой. Для большинства тиристоров U вкл. = Uобр.max 3. Максимально допустимый прямой, средний за период ток. 4. Прямое падение напряжения на открытом тиристоре (U пр. = 0,5÷1 В) 5. Обратный максимальный ток – это ток, обусловленный движением неосновных носителей при приложении напряжения обратной полярности. 6. Ток удержания – это анодный ток, при котором тиристор закрывается

Содержание слайда: 7. Время выключения - это время в течение которого закрывается тиристор (от 10 до 500 микросекунд). 7. Время выключения - это время в течение которого закрывается тиристор (от 10 до 500 микросекунд). 8. Предельная скорость нарастания анодного тока Если анодный ток будет быстро нарастать, то p-n переходы будут загружаться током неравномерно, вследствие чего будет происходить местный перегрев и тепловой пробой. 9. Предельная скорость нарастания анодного напряжения Если предельная скорость нарастания анодного напряжения будет больше паспортной, тиристор может самопроизвольно открыться от электромагнитной помехи. 10. Управляющий ток отпирания – это ток, который необходимо подать, чтобы тиристор открылся без «колена». 11. Управляющее напряжение отпирания - это напряжение, которое необходимо подать, чтобы тиристор открылся без «колена».

Содержание слайда: Однофазные схемы выпрямления

Содержание слайда: Различают два способа (схемы) выпрямления: Различают два способа (схемы) выпрямления: 1. Однополупериодные – ток в нагрузке протекает только при положительной полуволне питающего напряжения. 2. Двухполупериодные – ток в нагрузке протекает при обеих полуволнах. Однополупериодная схема выпрямления

Содержание слайда: Достоинство однополупериодной схемы выпрямления: простота и дешевизна. Достоинство однополупериодной схемы выпрямления: простота и дешевизна. Недостатки однополупериодной схемы выпрямления: токи и напряжения прерывисты, следовательно будет низкая величина среднего значения токов и напряжений в нагрузке. Кроме того, в схеме велик уровень напряжения пульсаций.

Содержание слайда: Двухполупериодные схемы выпрямления Рассмотрим однофазную двухполупериодную схему выпрямления с нулевой точкой (нулевая схема)

Содержание слайда:

Содержание слайда:

Содержание слайда:

Содержание слайда: Рассмотрим интервал 0 < ωt < π: диод V1 – открыт; диод V2 – закрыт. U d=e2 Рассмотрим интервал 0 < ωt < π: диод V1 – открыт; диод V2 – закрыт. U d=e2 Рассмотрим интервал π < ωt < 2 π : диод V1 –закрыт; диод V2 – открыт. Токи и напряжения имеют одинаковую полярность, но в каждый момент времени изменяют свою величину (ток и напряжение в нагрузке имеют пульсирующий характер). Выпрямленное напряжение содержит как постоянную, так и переменную составляющую.

Содержание слайда:

Содержание слайда: Период питающего напряжения Период питающего напряжения Период выпрямленного напряжения Наибольшую величину в кривой выпрямленного напряжения имеет 1-ая гармоника, частота которой в 2 раза выше частоты питающей сети. Эту гармонику наиболее трудно подавить фильтрами, поэтому по ее величине судят об искажении выпрямленного напряжения.

Содержание слайда: На рисунке штриховой линией показана первая гармоника напряжения пульсаций. На рисунке штриховой линией показана первая гармоника напряжения пульсаций. Пульсация выпрямленного напряжения характеризуется коэффициентом пульсации. Коэффициент пульсаций

Содержание слайда: Из разложения в ряд Фурье кривой выпрямленного напряжения получим в общем виде формулу : Из разложения в ряд Фурье кривой выпрямленного напряжения получим в общем виде формулу : , где m – кратность частоты переменной составляющей выпрямленного напряжения к частоте сети (число фаз выпрямления или пульсность выпрямителя). Последняя формула справедлива только при чисто активной нагрузке !!!

Содержание слайда: Определим коэффициент пульсации для нашего рассмотренного случая Определим коэффициент пульсации для нашего рассмотренного случая Чем меньше коэффициент пульсации, тем меньше уровень пульсации, а следовательно выше качество выпрямленного напряжения.

Содержание слайда: Основными параметрами для выбора диода являются: Основными параметрами для выбора диода являются: 1. Прямой средний за период анодный максимальный ток. Так как для тока одна полуволна отсутствует, а для тока нет, получаем:

Содержание слайда:

Содержание слайда: Мощность, выделяемая на нагрузке от постоянной составляющей выпрямленного тока и напряжения определяется средним значением напряжения : Мощность, выделяемая на нагрузке от постоянной составляющей выпрямленного тока и напряжения определяется средним значением напряжения :

Содержание слайда: Следовательно, около 20% всей мощности в нагрузку передается переменной составляющей. Следовательно, около 20% всей мощности в нагрузку передается переменной составляющей. Это также говорит о некачественном выпрямлении. Для уменьшения пульсации (уменьшения переменной составляющей) применяются фильтры. Расчетная мощность трансформатора: (при активно - индуктивной нагрузке)

Содержание слайда:

Содержание слайда: Однофазная двухполупериодная мостовая схема выпрямления

Содержание слайда:

Содержание слайда:

Содержание слайда:

Содержание слайда: При положительной полуволне ЭДС (интервал 0- ) и указанной на рисунке полярности выпрямленный ток будет протекать через диод V1, нагрузку и диод V4. Диоды V2 и V3 находятся под обратным напряжением и тока не проводят (плюс приложен к катоду, а минус к аноду). При положительной полуволне ЭДС (интервал 0- ) и указанной на рисунке полярности выпрямленный ток будет протекать через диод V1, нагрузку и диод V4. Диоды V2 и V3 находятся под обратным напряжением и тока не проводят (плюс приложен к катоду, а минус к аноду). При изменении полярности переменного напряжения (интервал ) открываются V2 и V3 и ток сохраняет направление. Если нагрузка активная ( ), то ток повторяет форму напряжения на нагрузке, а и имеют синусоидальную форму (штриховые кривые) Если , она препятствует изменению тока и не будет успевать следовать за изменением и будет сглаживаться (сплошная линия ). Также будет наблюдаться отстающий фазовый сдвиг. При значительной индуктивной нагрузке( > ) ток из-за малых пульсаций можно считать постоянным (идеально сглаженным).

Содержание слайда: При значительной индуктивной нагрузке передача активной мощности в нагрузку переменной составляющей тока отсутствует. Токи , , принимают форму прямоугольных импульсов. При значительной индуктивной нагрузке передача активной мощности в нагрузку переменной составляющей тока отсутствует. Токи , , принимают форму прямоугольных импульсов. При R-L нагрузке, как и при активной, форма повторяет , а его значение определяется как и для нулевой схемы с активной нагрузкой. или Пренебрежем потерями в , диодах и трансформаторе и положим (идеально сглажен) Ток в диоде и

Содержание слайда: Достоинства схемы с нулевой точкой: 1. Меньшее число диодов меньшая стоимость. 2. Последовательно обтекается всегда только один диод и нагрузка при малом питающем напряжении, падение напряжения будет меньше. Недостатки схемы с нулевой точкой: 1. Не работает без трансформатора. 2. больше на 20% больше габариты и выше цена. 3. Обратное напряжение больше в два раза. Применяется при малых напряжениях питания.

Содержание слайда: Достоинства мостовой схемы: Достоинства мостовой схемы: 1. Может работать без трансформатора, если нас устраивает входное напряжение. 2. на 20% меньше меньше габариты и ниже цена. 3. В два раза меньше обратное напряжение для диодов. Недостатки мостовой схемы: 1. В два раза большее число диодов. 2. Падение напряжения в два раза больше, так как последовательно с нагрузкой током обтекаются два диода. Мостовая схема применяется при E2=10÷ сотен Вольт.

Содержание слайда: Фильтры выпрямителей

Содержание слайда: Назначение: Улучшение качества выпрямленного напряжения путем ослабления переменной составляющей. Назначение: Улучшение качества выпрямленного напряжения путем ослабления переменной составляющей. Коэффициент сглаживания: - характеризует (количественно) ослабление переменной составляющей. Чем больше коэффициент сглаживания, тем лучше.

Содержание слайда:

Содержание слайда: r – активное сопротивление катушки индуктивности. r – активное сопротивление катушки индуктивности. Конденсатора в схеме нет, т.к. постоянный ток через него не проходит.

Содержание слайда: Схема замещения для переменной составляющей выпрямленного напряжения L и L-C фильтра: Схема замещения для переменной составляющей выпрямленного напряжения L и L-C фильтра:

Содержание слайда: Для L- фильтра: Для L- фильтра:

Содержание слайда: Ранее объяснены неравенства: r << и << Чем меньше тем больше S Индуктивный фильтр эффективен в «сильноточных» схемах, где - мало. «Сильноточная» схема – это схема, где протекают большие (сильные) токи.

Содержание слайда: Коэффициент сглаживания для LС – фильтра: Коэффициент сглаживания для LС – фильтра: Емкость шунтирует нагрузку по переменной составляющей. Условие эффективного шунтирования переменной составляющей: должно быть < 0.1

Содержание слайда: - Из чего следует, что - Из чего следует, что LC- фильтры более эффективны Ёмкостные и R-C фильтры используются при нагрузке потребляющей малые токи от выпрямителя ("слаботочная" нагрузка, т.е. нагрузка с малым ("слабым") током).

Содержание слайда: r - активное сопротивление диодов и обмоток трансформатора r - активное сопротивление диодов и обмоток трансформатора Рассмотрим, что происходит в схеме в разные промежутки времени:

Содержание слайда: 1. 0 < t <t1 e2 > u d , V1 – открыт, V2 – закрыт. конденсатор заряжается импульсом тока i a1 1. 0 < t <t1 e2 > u d , V1 – открыт, V2 – закрыт. конденсатор заряжается импульсом тока i a1 2. t1 < t < t2 e2 < u d, конденсатор разряжается на нагрузку ( ). V1 и V2 – закрыты. 3. t2 < t < t3 e2 > u d , V2 – открыт, V1 – закрыт. конденсатор заряжается импульсом тока i a2 Амплитуда второго импульса будет меньше первого, т.к. на конденсаторе в момент t2 ud > 0 По мере увеличения напряжения u d время заряда конденсатора уменьшается, а время разряда увеличивается. Через несколько периодов наступает положение, когда ud изменяется возле своего среднего установившегося значения.

Содержание слайда: т.к. ток i a - прерывистый, с паузами. Возникает необходимость введения дополнительного сопротивления r для токоограничения. т.к. ток i a - прерывистый, с паузами. Возникает необходимость введения дополнительного сопротивления r для токоограничения. На нём происходит дополнительное падение напряжения и, следовательно, выходное напряжение уменьшается. Чем больше , тем больше время разряда Коэффициент сглаживания ёмкостного фильтра равен 1! При холостом ходе R н = ∞, U dxx = E 2m = √2•E 2 Можно отметить следующие отличия работы выпрямителей с ёмкостной нагрузкой по сравнению с активной нагрузкой: 1. Больше амплитуда анодного тока и меньше его длительность.

Содержание слайда: 2. Больше величина (постоянная составляющая). 2. Больше величина (постоянная составляющая). 3. Меньше амплитуда переменной составляющей - 4. Резкая зависимость от . Коэффициент сглаживания R-C фильтра Схема замещения переменной составляющей: Источник питания ближе к источнику ЭДС, так как его внутреннее сопротивление мало r и включены параллельно. Значит

Содержание слайда: За счет падения напряжения на сопротивлении r снижается напряжение R-C фильтр эффективен при малых токах нагрузки. За счет падения напряжения на сопротивлении r снижается напряжение R-C фильтр эффективен при малых токах нагрузки.

Содержание слайда: Параметрический стабилизатор напряжения.

Содержание слайда: Назначение: Поддерживает напряжение на нагрузке примерно постоянным при изменяющемся входном напряжении и токе нагрузки в некотором диапазоне. Назначение: Поддерживает напряжение на нагрузке примерно постоянным при изменяющемся входном напряжении и токе нагрузки в некотором диапазоне. Типы стабилизаторов: 1. Параметрический 2. Компенсационные 3. Импульсные (самые современные, но и самые сложные и дорогие)

Содержание слайда: Стабилитрон забирает на себя часть тока нагрузки при увеличении входного напряжения .

Содержание слайда: При и При

Содержание слайда:

Содержание слайда: Коэффициент стабилизации Коэффициент стабилизации Коэффициент стабилизации своей величиной показывает, насколько хорошо стабилизатор поддерживает выходное напряжение в заданных пределах.

Содержание слайда: Схема замещения для приращения напряжения: Схема замещения для приращения напряжения: Тогда выражение для коэффициента стабилизации можно записать в следующем виде:

Содержание слайда: Для увеличения К ст надо увеличивать Rб , но при этом будет уменьшаться U вых , поэтому задача решается компромиссным путем. Для увеличения К ст надо увеличивать Rб , но при этом будет уменьшаться U вых , поэтому задача решается компромиссным путем. Потому обычно соблюдается условие Выходное сопротивление стабилизатора определяется по теореме об эквивалентном генераторе. При этом : у идеального стабилизатора выходное сопротивление равно нулю, у реального оно составляет от нескольких единиц до десятков Ом.

Содержание слайда: Биполярные транзисторы Биполярные транзисторы Предназначены для усиления сигналов и управления током в схемах полупроводниковой электроники. Представляют из себя трехслойную структуру с чередующимися слоями проводимости, имеют три вывода для подключения к внешней цепи. В этой трёхслойной структуре имеются два p-n перехода. Термин «биполярные» подчеркивает то, что у таких транзисторов используется оба типа носителей зарядов (электроны и дырки). Существует два типа транзисторов: 1. С прямой проводимостью (p-n-p) 2. С обратной проводимостью (n-p-n)

Содержание слайда: Э-Б – эмиттерный переход. Б-К – коллекторный переход. Особенности конструкции: 1. Толщина базы должна быть малой по сравнению с длиной свободного пробега носителей зарядов (примерно 20-30 мкм). 2. Концентрация примесей и основных носителей в эмиттере должна быть много больше, чем в базе.

Содержание слайда: Эмиттерный переход смещен в прямом направлении, коллекторный в обратном. Схемы с общим эмиттером (ОЭ): Схема с общим эмиттером называется так потому, что входная и выходная цепь имеют общую точку на эмиттере.

Содержание слайда:

Содержание слайда:

Содержание слайда:

Содержание слайда: Включим источники ЭДС и . Включим источники ЭДС и . Потенциальный барьер на эмиттерном переходе уменьшится, так как полярность приложенного к нему напряжения – прямая ток диффузии через эмиттерный переход увеличится. На коллекторном переходе полярность обратная потенциальный барьер коллекторного перехода увеличится. Т.к. база тонкая, почти все дырки подойдут к коллекторному переходу, не попадая в центры рекомбинаций. Центры рекомбинаций – это дефекты кристаллической решетки (нарушения кристаллической структуры, случайные примеси, трещины, дефекты в поверхностных слоях).

Содержание слайда: Центры рекомбинаций – это дефекты кристаллической решетки (нарушения кристаллической структуры, случайные примеси, трещины, дефекты в поверхностных слоях). Центры рекомбинаций – это дефекты кристаллической решетки (нарушения кристаллической структуры, случайные примеси, трещины, дефекты в поверхностных слоях). Дырки, подошедшие к коллекторному переходу будут втягиваться в коллектор (так как напряженность электрического поля коллекторного перехода будет «втягивающей» для неосновных носителей – дырок в базе n – типа). Ток дырок, попавших из эмиттера в коллектор будет замыкаться через внешнюю цепь. При этом приращение тока эмиттера ΔI э вызовет приращение тока коллектора Δ I К .

Содержание слайда: База была электрически нейтральна, т.к. избыточный заряд подвижных носителей – электронов компенсировался зарядом положительных неподвижных ионов примесей. База была электрически нейтральна, т.к. избыточный заряд подвижных носителей – электронов компенсировался зарядом положительных неподвижных ионов примесей. Т.к. небольшая часть дырок из эмиттера всё же рекомбинирует с электронами в базе, нейтральность базы нарушится и для её восстановления из внешней цепи за счет U БЭ будут поступать электроны.

Содержание слайда: Основные соотношения между токами в транзисторе. Основные соотношения между токами в транзисторе.

Содержание слайда: Выражения (1) и (2) показывают, что токи в транзисторе связаны линейно. Выражения (1) и (2) показывают, что токи в транзисторе связаны линейно.

Содержание слайда:

Содержание слайда:

Содержание слайда:

Содержание слайда:

Содержание слайда:

Содержание слайда:

Содержание слайда:

Содержание слайда:

Содержание слайда:

Содержание слайда:

Содержание слайда:

Содержание слайда:

Содержание слайда: