Оцените презентацию от 1 до 5 баллов!
Тип файла:
ppt / pptx (powerpoint)
Всего слайдов:
86 слайдов
Для класса:
1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11
Размер файла:
3.43 MB
Просмотров:
62
Скачиваний:
0
Автор:
неизвестен
Слайды и текст к этой презентации:
№1 слайд![Полупроводниковые диоды](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img0.jpg)
Содержание слайда: Полупроводниковые диоды
№2 слайд![Уравнения непрерывности](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img1.jpg)
Содержание слайда: Уравнения непрерывности
№3 слайд![ПРИНЯТЫЕ ДОПУЩЕНИЯ ПРИ РАСЧ](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img2.jpg)
Содержание слайда: ПРИНЯТЫЕ ДОПУЩЕНИЯ ПРИ РАСЧЁТЕ ВАХ
Модель электронно-дырочного перехода одномерная; p- и n-области имеют бесконечную протяженность.
Переход тонкий, носители заряда пролетают через ОПЗ без рекомбинации (ОПЗ стянут в линию).
Обе квазинейтральные области сильно легированы, падением напряжения на них можно пренебречь. Вся внешняя разность потенциалов приложена к pn-переходу.
Рекомбинацию считаем линейной.
Уровень инжекции мал (Δnp<<pp0, Δpn<< nn0).
№4 слайд![](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img3.jpg)
№5 слайд![](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img4.jpg)
№6 слайд![](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img5.jpg)
№7 слайд![](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img6.jpg)
№8 слайд![](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img7.jpg)
№9 слайд![Решение уравнения для ВАХ](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img8.jpg)
Содержание слайда: Решение уравнения для ВАХ
№10 слайд![](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img9.jpg)
№11 слайд![Распределение носителей в p-n](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img10.jpg)
Содержание слайда: Распределение носителей в p-n переходе
№12 слайд![](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img11.jpg)
№13 слайд![](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img12.jpg)
№14 слайд![](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img13.jpg)
№15 слайд![](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img14.jpg)
№16 слайд![ВАХ p-n-перехода](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img15.jpg)
Содержание слайда: ВАХ p-n-перехода
№17 слайд![](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img16.jpg)
№18 слайд![](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img17.jpg)
№19 слайд![](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img18.jpg)
№20 слайд![](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img19.jpg)
№21 слайд![Влияние различных факторов на](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img20.jpg)
Содержание слайда: Влияние различных факторов на ВАХ
pn-перехода
№22 слайд![](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img21.jpg)
№23 слайд![ВАХ кремниевого и](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img22.jpg)
Содержание слайда: ВАХ кремниевого и германиевого диодов
№24 слайд![Влияние](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img23.jpg)
Содержание слайда: Влияние генерации-рекомбинации на ВАХ
№25 слайд![](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img24.jpg)
№26 слайд![](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img25.jpg)
№27 слайд![](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img26.jpg)
№28 слайд![](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img27.jpg)
№29 слайд![Барьерная емкость диода](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img28.jpg)
Содержание слайда: Барьерная емкость диода
№30 слайд![](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img29.jpg)
№31 слайд![Диффузионная емкость](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img30.jpg)
Содержание слайда: Диффузионная емкость pn-перехода
№32 слайд![Пробой p-n-перехода](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img31.jpg)
Содержание слайда: Пробой p-n-перехода
№33 слайд![Обратная ВАХ при различных](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img32.jpg)
Содержание слайда: Обратная ВАХ при различных видах пробоя
№34 слайд![Схема, иллюстрирующая](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img33.jpg)
Содержание слайда: Схема, иллюстрирующая лавинный пробой
№35 слайд![Лавинный пробой](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img34.jpg)
Содержание слайда: Лавинный пробой
№36 слайд![](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img35.jpg)
№37 слайд![](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img36.jpg)
№38 слайд![Зависимость напряжения](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img37.jpg)
Содержание слайда: Зависимость напряжения лавинного пробоя от концентрации примеси в низколегированной области для резкого pn-перехода
№39 слайд![](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img38.jpg)
№40 слайд![](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img39.jpg)
№41 слайд![Зонная диаграмма](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img40.jpg)
Содержание слайда: Зонная диаграмма сильнолегированного p-n-перехода при обратном смещении
№42 слайд![](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img41.jpg)
№43 слайд![](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img42.jpg)
№44 слайд![](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img43.jpg)
№45 слайд![Влияние сопротивления базы на](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img44.jpg)
Содержание слайда: Влияние сопротивления базы на ВАХ
№46 слайд![Прямая ВАХ в](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img45.jpg)
Содержание слайда: Прямая ВАХ в полулогарифмическом масштабе
№47 слайд![](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img46.jpg)
№48 слайд![Характеристическое](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img47.jpg)
Содержание слайда: Характеристическое сопротивление диода
№49 слайд![](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img48.jpg)
№50 слайд![](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img49.jpg)
№51 слайд![](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img50.jpg)
№52 слайд![Координатные зависимости p](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img51.jpg)
Содержание слайда: Координатные зависимости p(x,t) в различные моменты времени
№53 слайд![](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img52.jpg)
№54 слайд![Зависимость обратного тока](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img53.jpg)
Содержание слайда: Зависимость обратного тока при переключении диода
№55 слайд![](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img54.jpg)
№56 слайд![Выпрямительные диоды](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img55.jpg)
Содержание слайда: Выпрямительные диоды
№57 слайд![ВАХ идеализированного](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img56.jpg)
Содержание слайда: ВАХ идеализированного выпрямляющего устройства
№58 слайд![ВАХ реального pn-перехода](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img57.jpg)
Содержание слайда: ВАХ реального pn-перехода
№59 слайд![](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img58.jpg)
№60 слайд![Графики напряжения и](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img59.jpg)
Содержание слайда: Графики напряжения и выпрямленного тока (а). простейшая выпрямительная схема (б)
№61 слайд![Качественное сравнение ВАХ](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img60.jpg)
Содержание слайда: Качественное сравнение ВАХ германиевого и кремниевого диода
(масштабы прямого и обратного токов различны)
№62 слайд![](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img61.jpg)
№63 слайд![](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img62.jpg)
№64 слайд![](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img63.jpg)
№65 слайд![](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img64.jpg)
№66 слайд![Стабилитроны Стабилитрон](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img65.jpg)
Содержание слайда: Стабилитроны
Стабилитрон (опорный диод) – полупроводниковый диод, предназначенный для стабилизации напряжения.
Стабилитроны используют также в качестве ограничителей постоянного или импульсного напряжения, элементов межкаскадной связи, источников эталонного напряжения и др.
№67 слайд![ВАХ стабилитрона](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img66.jpg)
Содержание слайда: ВАХ стабилитрона
№68 слайд![](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img67.jpg)
№69 слайд![](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img68.jpg)
№70 слайд![](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img69.jpg)
№71 слайд![](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img70.jpg)
№72 слайд![Туннельные диоды](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img71.jpg)
Содержание слайда: Туннельные диоды
№73 слайд![](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img72.jpg)
№74 слайд![](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img73.jpg)
№75 слайд![](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img74.jpg)
№76 слайд![ВАХ туннельного диода](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img75.jpg)
Содержание слайда: ВАХ туннельного диода
№77 слайд![ВАХ туннельного диода](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img76.jpg)
Содержание слайда: ВАХ туннельного диода
№78 слайд![ВАХ туннельного диода](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img77.jpg)
Содержание слайда: ВАХ туннельного диода
№79 слайд![ВАХ туннельного диода](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img78.jpg)
Содержание слайда: ВАХ туннельного диода
№80 слайд![ВАХ туннельного диода](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img79.jpg)
Содержание слайда: ВАХ туннельного диода
№81 слайд![Обращенный диод](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img80.jpg)
Содержание слайда: Обращенный диод
№82 слайд![Расчет ВАХ барьера Шоттки](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img81.jpg)
Содержание слайда: Расчет ВАХ барьера Шоттки
№83 слайд![Расчет ВАХ барьера Шоттки](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img82.jpg)
Содержание слайда: Расчет ВАХ барьера Шоттки
№84 слайд![ВАХ диода Шоттки](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img83.jpg)
Содержание слайда: ВАХ диода Шоттки
№85 слайд![Диод Шоттки](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img84.jpg)
Содержание слайда: Диод Шоттки
№86 слайд![Диоды Шоттки характеризуются](/documents_6/c54eae8e93d110c501fe7fe2cbb47612/img85.jpg)
Содержание слайда: Диоды Шоттки характеризуются быстрой рекомбинацией инжектированных носителей (время жизни носителей крайне мало), а значит и высоким быстродействием.
Диоды Шоттки характеризуются быстрой рекомбинацией инжектированных носителей (время жизни носителей крайне мало), а значит и высоким быстродействием.
Благодаря минимальному сопротивлению базы и отсутствию процессов накопления и рассасывания избыточных зарядов, быстро-действие получается достаточно высоким: граничная частота .