Презентация Полупроводниковые диоды онлайн

Содержание слайда: Предисловие…. «Человек человеку – друг, брат и товарищ, но все диоды разные;) » Семинар №3 «Полупроводниковые диоды : типы, характеристики»

Содержание слайда: ЧТО ЖЕ ТАКОЕ ДИОД?? Казалось бы простая всем известная вещь, но есть нюансы. Диод - это полупроводниковый прибор… А) пропускающий ток положительной полярности и не пропускающий отрицательно. Б) обладающий различной проводимостью в зависимости от полярности приложенного напряжения. А именно Применение диодов:

Содержание слайда: Диод представляет собой полупроводниковый прибор обладающей нелинейной вольт-амперной характеристикой, резко отличающейся в зависимости от полярности приложенного напряжения. Диод представляет собой полупроводниковый прибор обладающей нелинейной вольт-амперной характеристикой, резко отличающейся в зависимости от полярности приложенного напряжения. В процессе работы диод может находиться в областях проводимости, запирания и пробоя. Различают дискретные диоды в виде отдельного элемента, предназначенного для монтажа на плате и заключенного в собственный корпус, и интегральные диоды, которые вместе с другими элементами схемы изготавливаются на общей полупроводниковой подложке. Устройство. Диоды представляют собой электронно-дырочный переход p-n или переход металл–полупроводник и называются соответственно диодами с p-n переходом или диодами Шоттки. Зона p обогащена дырками, а зона n – электронами. Условное графическое обозначение и структура диода показаны на рис. 1.1.

Содержание слайда: При монтаже диода в корпус его нижняя часть припаивается к контактной ножке, служащей катодом, или к металлической части корпуса. Анодный вывод соединяется тонкой золотой или алюминиевой проволокой (контактным проводом) с соответствующей контактной ножкой. На заключительной стадии диод заливают синтетическим компаундом или заключают в металлический корпус с резьбовым контактом. При монтаже диода в корпус его нижняя часть припаивается к контактной ножке, служащей катодом, или к металлической части корпуса. Анодный вывод соединяется тонкой золотой или алюминиевой проволокой (контактным проводом) с соответствующей контактной ножкой. На заключительной стадии диод заливают синтетическим компаундом или заключают в металлический корпус с резьбовым контактом. Для диодов разных размеров и назначений существует множество типов корпусов, различающихся максимально допустимой рассеиваемой мощностью или имеющих особую форму для специальных применений. Наиболее распространенные типы корпусов показаны на рис. 1.6. Рис. 1.6. Распространенные типы корпусов дискретных диодов

Содержание слайда: Частотные свойства диодов Частотные свойства диодов Во многих устройствах диоды работают попеременно в областях проводимости и запирания, примером чему служит выпрямление переменного тока. На рис. 1.4 представлена схема, с помощью которой можно найти характеристику процесса переключения при омической (L = 0) и омическо-индуктивной (L >0) нагрузке. Питая схему напряжением прямоугольной формы, получим изменение во времени напряжения на диоде и протекающего через него тока (рис. 1.5) при U = 10 В, f = 10 МГц, R = 1 кОм и L = 0 или L = 5 мкГн. Рис. 1.5. Характеристика процесса переключения кремниевого диода 1N4148 и диода Шоттки BAS40 в схеме измерений на рис. 1.4

Содержание слайда: Классификация диодов Типы диодов по назначению 1. Выпрямительные диоды - предназначены для преобразования переменного тока в постоянный. 2. Импульсные диоды - имеют малую длительность переходных процессов, предназначены для применения в импульсных режимах работы. 3. Детекторные диоды предназначены для детектирования сигнала 4. Смесительные диоды предназначены для преобразования высокочастотных сигналов в сигнал промежуточной частоты. 5. Ограничительные диоды предназначены для защиты радио и бытовой аппаратуры от повышения сетевого напряжения. Типы диодов по частотному диапазону Низкочастотные Высокочастотные СВЧ

Содержание слайда: Основные виды диодов Классические кремниевые (выпрямительные) диоды Диоды Шоттки Стабилитроны (диоды Зеннера) TVS-диоды (супрессоры) Туннельные диоды (диоды Лео Эсаки) Варикапы Светодиоды Фотодиоды

Содержание слайда: Основные характеристики диодов

Содержание слайда: Диод Шоттки Диод Шоттки это полупроводниковый диод, выпрями­тельные свойства которого основаны на взаимодействии ме­талла и обедненного слоя полупроводника. Достоинства Падение напряжения 0,2—0,4 В. Отсутствие p-n перехода позволяет повысить рабочую частоту. Это свойство используется в логических интегральных микросхемах, где диодами Шоттки шунтируются переходы база-коллектор транзисторов. В силовой электронике малое время восстановления позволяет строить выпрямители на частоты в сотни кГц и выше – что важно в импульсных источниках питания. Благодаря указанным выше достоинствам, выпрямители на диодах Шоттки отличаются от выпрямителей на обычных диодах пониженным уровнем помех, поэтому они предпочтительны в аналоговых вторичных источниках питания.

Содержание слайда: Недостатки диода Шоттки Даже кратковременном превышении максимально допустимого значения обратного напряжения ДШ необратимо выходит из строя (в отличие от обычных кремниевых p-n диодов, которые переходят в режим обратимого пробоя когда диод полностью восстанавливает свои свойства. Диоды Шоттки характеризуются повышенными (относительно обычных кремниевых p-n диодов) обратными токами, возрастающими с ростом температуры кристалла. Для 30CPQ150 обратный ток при максимальном обратном напряжении изменяется от 0,12 мА при +25 °C до 6,0 мА при +125 °C. У низковольтных диодов в корпусах ТО220 обратный ток может превышать сотни миллиампер (MBR4015 — до 600 мА при +125 °C). Неудовлетворительные условия теплоотвода при работе диода Шоттки с высокими токами приводят к его тепловому пробою.

Содержание слайда: Полупроводниковый стабилитрон (диод Зенера) Полупроводниковый стабилитрон (диод Зенера)

Содержание слайда: Полупроводниковый стабилитрон (диод Зенера) Полупроводниковый стабилитрон (диод Зенера)

Содержание слайда: Температурный коэффициент напряжения стабилитрона

Содержание слайда: Параметры стабилитронов Дифференциальное сопротивление Температурный коэффициент напряжения Динамические характеристики Температурная область безопасной работы

Содержание слайда: Барьеры искрозащиты с использованием стабилитронов Принципиальные электрические схемы блоков искрозащиты на стабилитронах. a — схема блока с балластным резистором; b — схема блока с балластным резистором для переменного тока; c — схема блока без балластного резистора; d — схема блока для переменного тока с балластными резисторами и заземленной средней точкой стабилитронов; e — схема блока для переменного тока с балластными резисторами с дублированием стабилитронов и заземленной их средней точкой.

Содержание слайда: Супрессор – TVS диод Супрессор – TVS диод

Содержание слайда: Transient-voltage-suppression diode

Содержание слайда: Время срабатывания у несимметричных TVS-диодов менее Время срабатывания у несимметричных TVS-диодов менее 10^(-12) с, а у симметричных— менее 5х10^(-9) с. Это позволяет использовать их для защиты различных радиочастотных цепей, в состав которых входят чувствительные к переходным процессам полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы. Огромным минусом супрессоров можно считать сильную зависимость максимальной импульсной мощности от продолжительности импульса. ТVS-диоды выпускаются с различными уровнями мощности. Однако, если этих номиналов недостаточно, то мощность можно увеличить, соединив последовательно несколько полупроводников.

Содержание слайда: Варистор Варистор

Содержание слайда:

Содержание слайда: Варикапы Благодаря зависимости барьерной емкости от напряжения диод может служить переменной емкостью. Такой диод работает в области запирания, а его барьерная емкость задается обратным напряжением. Варикапы широко используют для изменения частоты колебательных LC-контуров. На рис. 2.3 показаны условное графическое обозначение варикапа и зависимость барьерной емкости Cs от напряжения для нескольких типовых диодов. Кривые подобны друг другу, за исключением кривой диода BB512 с резким падением барьерной емкости. Емкостный коэффициент ms можно рассчитать по наклону кривой, представленной в логарифмическом масштабе. Ход наклона для ms = 0,5 и ms = 1 также приведен на рис. 2.3. Рис. 2.3 Условное обозначение и зависимость емкости варикапа от напряжения

Содержание слайда: Важной характеристикой варикапа, наряду с зависимостью барьерной емкости Cs от напряжения, является добротность варикапа Q. При заданной частоте добротность Q обратно пропорциональна прямому сопротивлению RB. Поэтому высокая добротность равнозначна низкому прямому сопротивлению и, следовательно, малым потерям или слабому затуханию, если диод используется в колебательном контуре. Добротность типовых диодов составляет Q ≈ 50…500. Важной характеристикой варикапа, наряду с зависимостью барьерной емкости Cs от напряжения, является добротность варикапа Q. При заданной частоте добротность Q обратно пропорциональна прямому сопротивлению RB. Поэтому высокая добротность равнозначна низкому прямому сопротивлению и, следовательно, малым потерям или слабому затуханию, если диод используется в колебательном контуре. Добротность типовых диодов составляет Q ≈ 50…500. Для изменения частоты колебательных LC-контуров часто применяются схемы на основе варикапов. В схеме, приведенной на рис.2.4, последовательная цепочка из барьерной емкости Cs диода и емкости конденсатора связи Ck включена параллельно колебательному контуру из индуктивности L и емкости C. Напряжение настройки Ua > 0подается через индуктивность LB, благодаря чему колебательный контур и источник напряжения Ua развязаны по переменному напряжению и предотвращается короткое замыкание контура этим источником. Для того, чтобы LB не влияла на резонансную частоту необходимо выбрать LB >> L. Управляющее напряжение можно подавать и через резистор, однако его сопротивление нагружает колебательный контур и приводит к снижению добротности. Емкость конденсатора связи Ck предотвращает короткое замыкание источника напряжения Ua индуктивностью колебательного контура. При соблюдении условия Lb >> L резонансная частота составляет

Содержание слайда: Применение диодов – шунтирование индуктивности После отключения индуктивность сама становится источником тока и напряжения, а возникающее на закрытом ключе напряжение может достигать высоких значений и приводить к искрению и обгоранию контактов механических и пробою полупроводниковых ключей поскольку в этих случаях энергия будет рассеиваться непосредственно на самом ключе. Диодная защита является простой и одной из широко распространённых схем, позволяющих защитить ключи с индуктивной нагрузкой. Диод включается параллельно катушке так, что в рабочем состоянии диод закрыт. При отключении тока возникающая ЭДС самоиндукции направлена против ранее приложенного к индуктивности напряжения; эта противо-ЭДС открывает диод; ранее шедший через индуктивность ток продолжает течь через диод и энергия магнитного поля рассеется на нём, не вызывая повреждения ключа. В схеме защиты с только одним диодом напряжение на катушке будет равным падению напряжения на диоде в прямом направлении — порядка 0,7-1,2 В, в зависимости от величины тока. Из-за малости этого напряжения ток будет спадать довольно медленно, и для ускорения выключения нагрузки может потребоваться использование более сложной защитной схемы: стабилитрон последовательно с диодом, диод в комбинации с резистором, варистором или резисторно-ёмкостной цепочкой.

Содержание слайда: Спасибо за внимание!