Оцените презентацию от 1 до 5 баллов!
Тип файла:
ppt / pptx (powerpoint)
Всего слайдов:
15 слайдов
Для класса:
1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11
Размер файла:
687.31 kB
Просмотров:
43
Скачиваний:
0
Автор:
неизвестен
Слайды и текст к этой презентации:
№1 слайд![Аморфные полупроводники и](/documents_5/8750ebb09ed6408f8a3ad4c9dec9b6ee/img0.jpg)
Содержание слайда: Аморфные полупроводники и приборы на их основе
Выполнил: студент гр. АНБ-14-2 Михайлицын А.С.
№2 слайд![Определение аморфных](/documents_5/8750ebb09ed6408f8a3ad4c9dec9b6ee/img1.jpg)
Содержание слайда: Определение аморфных полупроводников
Аморфные полупроводники – это аморфные вещества, имеющие свойства полупроводников.
Они не являются кристаллическими.
В аморфных телах отсутствует дальний порядок в расположении составляющих их атомов, присутствует только ближний.
№3 слайд![Аморфные и стеклообразные](/documents_5/8750ebb09ed6408f8a3ad4c9dec9b6ee/img2.jpg)
Содержание слайда: Аморфные и стеклообразные полупроводники делятся на халькогенидные, оксидные, органические, тетраэдрические.
Аморфные и стеклообразные полупроводники делятся на халькогенидные, оксидные, органические, тетраэдрические.
Некристаллические материалы, полученные охлаждением расплава, называются стеклами.
Аморфные полупроводники, которые не могут быть изготовлены из расплава, как правило, получают в виде тонких пленок
№4 слайд![Оксидные кислородсодержащие](/documents_5/8750ebb09ed6408f8a3ad4c9dec9b6ee/img3.jpg)
Содержание слайда: Оксидные кислородсодержащие стекла получают сплавлением оксидов металлов с переменной валентностью, таких как, V2O5-P2O5-ZnO.
Оксидные кислородсодержащие стекла получают сплавлением оксидов металлов с переменной валентностью, таких как, V2O5-P2O5-ZnO.
Халькогенидные стекла получают из полупроводникового расплава методом быстрого охлаждения, так называемой закалки.
Германий Ge, кремний Si получают в виде тонких пленок путем различных осаждений атомов
№5 слайд![Структура аморфных](/documents_5/8750ebb09ed6408f8a3ad4c9dec9b6ee/img4.jpg)
Содержание слайда: Структура аморфных полупроводников
Аморфные пленки Si, Ge и других полупроводниковых веществ по своим свойствам не представляют практического интереса.
Из-за специфики процесса электропроводности в аморфных полупроводниках управлять электрическими свойствами таких материалов практически невозможно.
Введение водорода в аморфные пленки кремния позволяет изменить его электрофизические свойства.
№6 слайд![Фрагменты структур аморфного](/documents_5/8750ebb09ed6408f8a3ad4c9dec9b6ee/img5.jpg)
Содержание слайда: Фрагменты структур аморфного кремния с точечными дефектами (а), гидрогенизированного аморфного кремния (б):
Фрагменты структур аморфного кремния с точечными дефектами (а), гидрогенизированного аморфного кремния (б):
1-точечные дефекты; 2, 3 – атомы кремния и водорода
№7 слайд![Механическая модель решетки](/documents_5/8750ebb09ed6408f8a3ad4c9dec9b6ee/img6.jpg)
Содержание слайда: Механическая модель решетки аморфного кремния
Механическая модель решетки аморфного кремния
№8 слайд![Стеклообразные полупроводники](/documents_5/8750ebb09ed6408f8a3ad4c9dec9b6ee/img7.jpg)
Содержание слайда: Стеклообразные полупроводники
Халькогенидные стекла, такие, как As2S3, As2Se3, As2Te3, являются представителями этой группы.
Электропроводность полупроводников такого типа описывается экспоненциальным законом:
№9 слайд![Зонные модели Модель Коэна](/documents_5/8750ebb09ed6408f8a3ad4c9dec9b6ee/img8.jpg)
Содержание слайда: Зонные модели
Модель Коэна – Фрицше – Овшинского
Модель Дэвиса – Мотта
Модель поляронов малого радиуса
№10 слайд![Кривые плотности состояний](/documents_5/8750ebb09ed6408f8a3ad4c9dec9b6ee/img9.jpg)
Содержание слайда: Кривые плотности состояний для аморфных полупроводников:
Кривые плотности состояний для аморфных полупроводников:
а – модель Коэна – Фрицше – Овшинского, б – модель Дэвиса – Мотта с зоной компенсированных уровней вблизи середины щели, в – модифицированная модель Дэвиса – Мотта, г - «реальное» стекло с дефектными состояниями
№11 слайд![Практическое применение](/documents_5/8750ebb09ed6408f8a3ad4c9dec9b6ee/img10.jpg)
Содержание слайда: Практическое применение аморфных полупроводников и приборы на их основе
Ксерография – это процесс, где применяются фотопроводящие свойства селенового стекла.
№12 слайд![Производство солнечных](/documents_5/8750ebb09ed6408f8a3ad4c9dec9b6ee/img11.jpg)
Содержание слайда: Производство солнечных батарей – устройств, которые превращают солнечную энергию в электроэнергию.
Производство солнечных батарей – устройств, которые превращают солнечную энергию в электроэнергию.
№13 слайд![Изготовление переключающих и](/documents_5/8750ebb09ed6408f8a3ad4c9dec9b6ee/img12.jpg)
Содержание слайда: Изготовление переключающих и запоминающих устройств – эти устройства находят применение при производстве электронных вычислительных машин.
Изготовление переключающих и запоминающих устройств – эти устройства находят применение при производстве электронных вычислительных машин.
№14 слайд![Гидрогенизированный аморфный](/documents_5/8750ebb09ed6408f8a3ad4c9dec9b6ee/img13.jpg)
Содержание слайда: Гидрогенизированный аморфный кремний находит применение для изготовления тонкопленочных МДП-транзисторов.
Гидрогенизированный аморфный кремний находит применение для изготовления тонкопленочных МДП-транзисторов.
№15 слайд![Заключение Распространение](/documents_5/8750ebb09ed6408f8a3ad4c9dec9b6ee/img14.jpg)
Содержание слайда: Заключение
Распространение стеклообразных и аморфных полупроводников для изделий электронной техники определяется относительной простотой их получения, невысокой стоимостью, набором определенных электрофизических свойств.