Оцените презентацию от 1 до 5 баллов!
Тип файла:
ppt / pptx (powerpoint)
Всего слайдов:
12 слайдов
Для класса:
1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11
Размер файла:
480.04 kB
Просмотров:
48
Скачиваний:
0
Автор:
неизвестен
Слайды и текст к этой презентации:
№1 слайд![Исследование воздействия](/documents_6/197c9a129b83e26644580d1e2d31e09d/img0.jpg)
Содержание слайда: Исследование воздействия плазмы метана на свойства оксида графена
Выполнил студент Слепцов В.С. РФ-16
Науч. Рук. Неустроев Е.П.
Якутск 2019
№2 слайд![Актуальность Плазменная](/documents_6/197c9a129b83e26644580d1e2d31e09d/img1.jpg)
Содержание слайда: Актуальность: Плазменная обработка является эффективным методом модификации свойств оксида графена, в свою очередь плазма метана является эффективным восстановителем оксида графена и позволяет залечивать дефекты кристаллической решётки оксида графена. В то же время воздействие плазмы метана на углеродные материалы ещё не полностью изучены.
Актуальность: Плазменная обработка является эффективным методом модификации свойств оксида графена, в свою очередь плазма метана является эффективным восстановителем оксида графена и позволяет залечивать дефекты кристаллической решётки оксида графена. В то же время воздействие плазмы метана на углеродные материалы ещё не полностью изучены.
Цель: Исследовать воздействие плазмы метана на свойства оксида графена
Задачи:
Освоить работу на экспериментальных установках и подготовить образцы для измерений.
Измерить сопротивление и спектры комбинационного рассеивания света
Провести обработку и анализ экспериментальных данных, подготовить отчёт о проделанной работе.
№3 слайд![Методика эксперимента](/documents_6/197c9a129b83e26644580d1e2d31e09d/img2.jpg)
Содержание слайда: Методика эксперимента:
Экспериментальная установка «Этна»: установка используется для плазмохимического травления и очистки поверхности пластин полупроводников и диэлектриков. Мощность до 300Вт, поток газа до 100 См3, давление менее 1 мбар, ТК (200 С)
ASEC-03: система предназначена для исследования электрических и фотоэлектрических свойств и определения электрофизических параметров полупроводниковых и диэлектрических материалов.
Формула для расчета лоренцианов кривой пиков спектров КРС: y=y0 + (2*A/PI)*(w/(4*(x-xc)2 + w2))
№4 слайд![D и G пики спектров КРС](/documents_6/197c9a129b83e26644580d1e2d31e09d/img3.jpg)
Содержание слайда: D и G пики спектров КРС
Природа D пика связана со степенью структурного беспорядка вблизи края микросталлической структуры, который уменьшает симметричность структуры. G пик характеризует графен в плоскости колебательной моды sp2- данный параметр отображает степень кристаллизации материала
№5 слайд![Зависимость сопротивления от](/documents_6/197c9a129b83e26644580d1e2d31e09d/img4.jpg)
Содержание слайда: Зависимость сопротивления от времени
№6 слайд![](/documents_6/197c9a129b83e26644580d1e2d31e09d/img5.jpg)
№7 слайд![GO- Р Вт Т мин , ID IG . , d](/documents_6/197c9a129b83e26644580d1e2d31e09d/img6.jpg)
Содержание слайда: GO-2 Р=200Вт Т=3мин , ID/IG=2.58, d=4,15 nm.
GO-2 Р=200Вт Т=3мин , ID/IG=2.58, d=4,15 nm.
№8 слайд![GO- P Вт Т мин ID IG . GO- P](/documents_6/197c9a129b83e26644580d1e2d31e09d/img7.jpg)
Содержание слайда: GO-3 P=200Вт Т=3мин ID/IG=2.03
GO-3 P=200Вт Т=3мин ID/IG=2.03
№9 слайд![GO- ,GO- ,GO- после -ти](/documents_6/197c9a129b83e26644580d1e2d31e09d/img8.jpg)
Содержание слайда: GO-1,GO-2,GO-3 после 12-ти минутной обработки в плазме
GO-1 GO-2 GO-3
№10 слайд![Сравнение соотношений ID IG](/documents_6/197c9a129b83e26644580d1e2d31e09d/img9.jpg)
Содержание слайда: Сравнение соотношений ID/IG
После вакуумной отжига
№11 слайд![Заключение Сопротивление ОГ в](/documents_6/197c9a129b83e26644580d1e2d31e09d/img10.jpg)
Содержание слайда: Заключение
Сопротивление ОГ в н.у. линейно увеличивается в зависимости от времени как для обработанных в плазме так и для не обработанных образцов;
Обработка ОГ с CH4 приводит к образованию к аморфной углеродной плёнки на поверхности образца;
С увеличением времени обработки появляется широкая полоса фотолюменосценции в УФ-области(от 2000 до 3500 см-1);
№12 слайд![Спасибо!](/documents_6/197c9a129b83e26644580d1e2d31e09d/img11.jpg)
Содержание слайда: Спасибо!