Презентация Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур онлайн

На нашем сайте вы можете скачать и просмотреть онлайн доклад-презентацию на тему Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур абсолютно бесплатно. Урок-презентация на эту тему содержит всего 76 слайдов. Все материалы созданы в программе PowerPoint и имеют формат ppt или же pptx. Материалы и темы для презентаций взяты из открытых источников и загружены их авторами, за качество и достоверность информации в них администрация сайта не отвечает, все права принадлежат их создателям. Если вы нашли то, что искали, отблагодарите авторов - поделитесь ссылкой в социальных сетях, а наш сайт добавьте в закладки.

Презентации » Химия » Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур

Просмотр ВСЕЙ презентации! ЖМИТЕ

Оцените презентацию от 1 до 5 баллов!

Смотреть онлайн
Скачать

Тип файла:

ppt / pptx (powerpoint)
Всего слайдов:

76 слайдов
Для класса:

1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11
Размер файла:

5.22 MB
Просмотров:

52
Скачиваний:

1
Автор:

неизвестен

Слайды и текст к этой презентации:

№1 слайд

Содержание слайда: Наноэлектроника

№2 слайд

Содержание слайда:

№3 слайд

Содержание слайда:

№4 слайд

Содержание слайда:

№5 слайд

Содержание слайда:

№6 слайд

Содержание слайда:

№7 слайд

Содержание слайда:

№8 слайд

Содержание слайда:

№9 слайд

Содержание слайда:

№10 слайд

Содержание слайда:

№11 слайд

Содержание слайда:

№12 слайд

Содержание слайда:

№13 слайд

Содержание слайда:

№14 слайд

Содержание слайда:

№15 слайд

Содержание слайда:

№16 слайд

Содержание слайда:

№17 слайд

Содержание слайда: Принципиальное отличие нанообразований, ограниченных нанометровыми размерами в трёх измерениях (квантовые точки, КТ) от нанообразований, ограниченных в одном измерении (квантовые ямы, КЯ) или в двух измерениях (квантовые нити, КН) заключается в том, что в них свойства электронов и дырок нельзя описать на основе представлений о газе квазичастиц, которые используются для описания КЯ и КН, т.к. движение электронов и дырок рассматривается в трёхмерном ограниченном пространстве и КТ представляются как сверхатомы или сверхантиатомы в зависимости от знака носителей заряда в них. Принципиальное отличие нанообразований, ограниченных нанометровыми размерами в трёх измерениях (квантовые точки, КТ) от нанообразований, ограниченных в одном измерении (квантовые ямы, КЯ) или в двух измерениях (квантовые нити, КН) заключается в том, что в них свойства электронов и дырок нельзя описать на основе представлений о газе квазичастиц, которые используются для описания КЯ и КН, т.к. движение электронов и дырок рассматривается в трёхмерном ограниченном пространстве и КТ представляются как сверхатомы или сверхантиатомы в зависимости от знака носителей заряда в них. К основным требованиям в формировании массивов КТ при эпитаксиальном наращивании является: - идентичность форм и размеров КТ; - однородность в их распределении; - величина поверхностной плотности КТ.

№18 слайд

Содержание слайда:

№19 слайд

Содержание слайда: Наногетероэпитаксиальные структуры (НГЭС) представляют собой композит изготовленный на пластине из монокристаллического материала (подложке) и включающий монокристаллические нанообразования из различных материалов, имеющих в одном, двух или трёх измерениях нанометровые размеры, величина которых не должна превышать величину длины волны де Бройля для электрона (λ℮). Наногетероэпитаксиальные структуры (НГЭС) представляют собой композит изготовленный на пластине из монокристаллического материала (подложке) и включающий монокристаллические нанообразования из различных материалов, имеющих в одном, двух или трёх измерениях нанометровые размеры, величина которых не должна превышать величину длины волны де Бройля для электрона (λ℮). Физические процессы в таких нанообразованиях описываются аппаратом квантовой механики.

№20 слайд

Содержание слайда:

№21 слайд

Содержание слайда:

№22 слайд

Содержание слайда:

№23 слайд

Содержание слайда:

№24 слайд

Содержание слайда:

№25 слайд

Содержание слайда:

№26 слайд

Содержание слайда:

№27 слайд

Содержание слайда:

№28 слайд

Содержание слайда:

№29 слайд

Содержание слайда:

№30 слайд

Содержание слайда:

№31 слайд

Содержание слайда:

№32 слайд

Содержание слайда:

№33 слайд

Содержание слайда:

№34 слайд

Содержание слайда:

№35 слайд

Содержание слайда:

№36 слайд

Содержание слайда:

№37 слайд

Содержание слайда:

№38 слайд

Содержание слайда:

№39 слайд

Содержание слайда:

№40 слайд

Содержание слайда:

№41 слайд

Содержание слайда:

№42 слайд

Содержание слайда: Установки МВЕ

№43 слайд

Содержание слайда:

№44 слайд

Содержание слайда: Особенности молекулярно-лучевой эпитаксии: Особенности молекулярно-лучевой эпитаксии: - Испарение всех матричных элементов, а также легирующих примесей из индивидуальных молекулярных источников. - Имеется возможность резкого прерывания молекулярного пучка любого из испаряемых веществ с помощью механических заслонок. Проведение эпитаксиального процесса в условиях сверхвысокого вакуума (p< 10-8 Па) Атомарно-чистая поверхность подложки перед эпитаксиальным наращиванием. - Проведение эпитаксиального процесса при относительно низких температурах роста (500-650оС). - Поддержание двумерного режима роста слоев, обеспечивающего получение атомарно-гладкой поверхности раздела выращиваемых гетероструктур. - Низкая скорость эпитаксии – от 1 до 2 мкм в час (0,1 нм/с). - Доступность фронта кристаллизации контролю различными физико-аналитическими методами.

№45 слайд

Содержание слайда:

№46 слайд

Содержание слайда:

№47 слайд

Содержание слайда:

№48 слайд

Содержание слайда:

№49 слайд

Содержание слайда:

№50 слайд

Содержание слайда:

№51 слайд

Содержание слайда:

№52 слайд

Содержание слайда:

№53 слайд

Содержание слайда:

№54 слайд

Содержание слайда:

№55 слайд

Содержание слайда:

№56 слайд

Содержание слайда:

№57 слайд

Содержание слайда:

№58 слайд

Содержание слайда:

№59 слайд

Содержание слайда:

№60 слайд

Содержание слайда:

№61 слайд

Содержание слайда: Технология (ЖФЭ с ИОП) выращивания многослойных наногетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками (НГЭС КТ)

№62 слайд

Содержание слайда: Чем обусловлено возрождение методов ЖФЭ? Чем обусловлено возрождение методов ЖФЭ? Выращивание, например, массивов КТ осуществляется по механизму Странского-Крастанова при различии в несколько процентов постоянных решеток материала КТ и матричного материала, используемого в качестве подложки и спейсерных слоев в многослойных НГЭС. Формирования массивов КТ включает рост на поверхности подложки упруго-напряженного «смачивающего» слоя материала КТ, на поверхности которого, при достижении некоторой критической толщины, в местах нониуса совершенства, происходит образование КТ. При перемещении носителей заряда вдоль оси многослойной НГЭС наличие «смачивающего» слоя между КТ приводит к генерационно-рекомбинационному току, который не позволяет реализовать характеристики, предсказываемые для приборов, созданных на основе НГЭС, не содержащих «смачивающих» слоев.

№63 слайд

Содержание слайда: Методы MЛЭ и MOCVD, нашедших широкое применение для получения различных НГЭС, не позволяют получать НГЭС без «смачивающих» слоев между КТ. Методы MЛЭ и MOCVD, нашедших широкое применение для получения различных НГЭС, не позволяют получать НГЭС без «смачивающих» слоев между КТ. Методы выращивания НГЭС в процессе ЖФЭ позволяют получать массивы КТ не содержащие упруго-напряженные «смачивающие» слои в промежутках между КТ. Формирование массива КТ в этом процессе определяется разностью химических потенциалов ΔµST атомов кристаллизуемого вещества в жидкой µL и твердой µS фазах, при наличии упругой энергии U(x), приходящейся на один атом с координатой x в упруго-напряженной области, в соответствии с выражением ∆µST=µT−µS − U(x)=∆µ−U(x) При U(х)<Δµ - происходит процесс кристаллизации, а при U(х)>Δµ - процесс растворения.

№64 слайд